Вторник, 24.10.2017, 05:20
Главная Регистрация RSS
Приветствую Вас, Гость
Меню сайта
Наш опрос
Оцените мой сайт
Всего ответов: 16
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Вход на сайт

Поиск
Календарь
«  Июль 2015  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728293031
Главная » 2015 » Июль » 25
Весьма часто требуется на основе отдельных кристаллов, содержащих запоминающие элементы, создать запоминающее устройство, которое должно иметь относительно большую информационную емкость. Увеличение числа адресов в памяти может быть достигнуто с использованием входов «Линия выбора кристалла». Параллельное включение входов адресных линий и выделение дешифрованием старших разрядов адреса позволяют избирательно активизировать каждый кристалл. Выходные схемы кристалла выполняются часто с открытым коллектором, для образования схемы монтажное ИЛИ либо как тристабильные схемы. Увеличения разрядности слов можно просто достигнуть путем параллельного включения адресных входов и параллельного соединения входов «Выбор кристалла».
Вы хотите накрутить подписчиков Вконтакте? Накрутка подписчиков Вконтакте сейчас есть на специальном сайте в интернете.
Просмотров: 357 | Добавил: admin | Дата: 25.07.2015 | Комментарии (0)